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专利号:200810132559
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半导体结构及其制造方法

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。相较于现有技术的薄膜晶体管数组结构,本发明的结构为使用?#21450;?#21270;第一金属层作为数据导线,而使用?#21450;?#21270;第二金属层作为栅极导线。在薄膜晶体管组件中,栅极亦位于?#21450;?#21270;第一金属层内,并通过接触窗与位于?#21450;?#21270;第二金属层的栅极导线呈电性相连。源极与漏极是通过接触窗与数据导线呈电性相连,本发明的结构同时提升了储存电容值与开口率。

半导体结构及其制造方法

一种半导体结构,适用于一平面显示器,其特征在于,包含:    一半导体层,设置于一基板上,具有一源极区与一漏极区;    一?#21450;?#21270;第一介电层,设置于该半导体层上;    一?#21450;?#21270;第一金属层,设置于该?#21450;?#21270;第一介电层上,其特征在于,该?#21450;?#21270;第一金属层包含:    一栅极电极,部分设置于部分该半导体层上方;以及    一数据导线,部分设置于该半导体层上方;    一?#21450;?#21270;第二介电层,设置于该?#21450;?#21270;第一金属层上;以及    一?#21450;?#21270;第二金属层,设置于该?#21450;?#21270;第二介电层上,其特征在于,该?#21450;?#21270;第二金属层包含:    一栅极导线,部分设置于部分该栅极电极上方?#19994;?#24615;连接于该栅极电极;    一共享电极,部分设置于部分该数据导线上方;    一源极导线,电性连接该半导体层的该源极区及该数据导线;及    一漏极导线,电性连接于该半导体层的该漏极区。
 


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专利号: 200810132559
申请日: 2008年7月15日
公开/公告日: 2008年11月19日
授权公告日:
申请人/专利权人: 友达光电股份有限公司
国家/省市: 台湾(71)
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发明/设计人: 陈昱丞
代理人: 梁挥 祁建国
专利代理机构: 机械工业部知识产权事务中心(11006)
专利代理机构地址: ?#26412;?#24066;阜城门外百万庄南里1号(100037)
专利类型: 发明
公开号: 101308844
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 5
页数: 7
权利要求项数: 4
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