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专利号:200810082819
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跨导器与混频电路

本发明提供一种跨导器与混频电路。所述跨导器包括第一有源器件网络与第二有源器件网络,所述第一有源器件网络有第一节点与第二节点,且包括第一金属氧化物半导体晶体管,所述第一金属氧化物半导体晶体管具有栅极、耦接至第一节点的源极以及耦接至第二节点的漏极;第二有源器件网络具有分别耦接至第一有源器件网络的第一节点与第二节点的第一节点与第二节点,且包括第二金属氧化物半导体晶体管,第二金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极分别耦接至第一金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极,其中,第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管分别操作于饱和区与三极管区,使得金属氧化物半导体晶体管所产生的非线性度被抵消。

跨导器与混频电路

一种跨导器,其特征在于,所述跨导器包括:    第一有源器件网络,具有第一节点与第二节点,且包括第一金属氧化物半导体晶体管,所述第一金属氧化物半导体晶体管具有栅极、耦接至所述第一节点的源极以及耦接至所述第二节点的漏极;    第二有源器件网络,具有第一节点与第二节点,所述第一节点与第二节点分别耦接至所述第一有源器件网络的第一节点与第二节点,且包括耦接于所述第一节点与第二节点之间的第二金属氧化物半导体晶体管,所述第二金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极分别耦接至所述第一金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极;    其中,所述第一金属氧化物半导体晶体管与所述第二金属氧化物半导体晶体管分别操作于饱和区与三极管区。
 


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专利号: 200810082819
申请日: 2008年2月28日
公开/公告日: 2008年11月19日
授权公告日:
申请人/专利权人: 联发科技(新加坡)私人有限公司
国家/省市: 新加坡(SG)
邮编:
发明/设计人: 刘荣全
代理人: ?#25991;?#38395;
专利代理机构: ?#26412;?#19977;友专利代理有限责任公司(11127)
专利代理机构地址: ?#26412;?#24066;北三?#20998;?#36335;40号(100088)
专利类型: 发明
公开号: 101309075
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 美国2007年5月14日11/748,014
审批历史:
附图数: 9
页数: 6
权利要求项数: 3
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