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专利号:200810080434
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半导体结构

本发明涉及一种半导体结构,包括:半导体基底;栅介电层,位于半导体基底上;栅极,位于栅介电层上;深源极/漏极区,邻近栅极;硅化物区,位于深源极/漏极区上;以及,增高式金属化源极/漏极区,介于硅化物区与栅极之间。其中,增高式金属化源极/漏极区邻接硅化物区。本发明可增加MOS元件的驱动电流与降低漏电流。

半导体结构

一种半导体结构,包括:    半导体基底;    栅介电层,位于该半导体基底上;    栅极,位于该栅介电层上;    深源极/漏极区,邻近该栅极;    硅化物区,位于该深源极/漏极区上;以及    增高式金属化源极/漏极区,介于该硅化物区与该栅极之间,其中该增高式金属化源极/漏极区邻接该硅化物区。
 


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专利号: 200810080434
申请日: 2008年2月19日
公开/公告日: 2008年11月12日
授权公告日:
申请人/专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
国家/省市: 台湾(71)
邮编:
发明/设计人: 柯志欣、陈宏玮、葛崇祜、官大明、李文钦
代理人: 陈晨
专利代理机构: 隆天国际专利商标代理有限公司(72003)
专利代理机构地址: 香港干诺道中168-200号?#35834;?#20013;心西翼15楼1512室()
专利类型: 发明
公开号: 101304043
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 美国2007年5月7日11/800,615
审批历史:
附图数: 8
页数: 8
权利要求项数: 2
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